Guangmai Tehnoloģija Co., SIA
+86-755-23499599
Sazinies ar mums
  • Tālr.: +86-755-23499599

  • Fakss: +86-755-23497717

  • E-pasts: info@gmleds.com

  • Pievienot: Guangmai Tech Parks, Nr.96, Guangtian Rd, Janluo, Baoan Dist, Šenžena, Ķīna

Viena province ir izdevusi politikas, kas saistītas ar dziļo ultravioleto LED! Substrāta un skaidu sagatavošanas tehnoloģija!

Oct 21, 2021

Pirms dažām dienām Anhui provinces Ekonomikas un informācijas tehnoloģiju departaments, lai paātrinātu sasniegumus galvenajos un izplatītajos tehniskajos šķēršļos, kas ierobežo apstrādes rūpniecības attīstību, un veicinātu kvalitatīvu apstrādes rūpniecības attīstību, izdeva"Ražošana, universitātes pētniecībā izmantotie produkti, lai kompensētu trūkumus galvenajās ražošanas jomās un norādījumi galveno izplatīto tehnoloģiju risināšanai." Katalogs (2021)"."UV LED vēja virziens" atklāja, ka dziļā ultravioletā gaismas diode ir īpaša rakstaina substrāta un mikroshēmu sagatavošanas tehnoloģijas izpēte un industrializācija.


Ir saprotams, ka īpašu rakstainu substrātu un mikroshēmu sagatavošanas tehnoloģiju izpēte un industrializācija dziļi ultravioletajām gaismas diodēm galvenokārt tiek pētīta uz nanorakstiem safīra substrātiem, kas piemēroti AlN un augsta alumīnija AlGaN ultravioleto LED mikroshēmu epitaksiskajai augšanai, lai atrisinātu UVC pusvadītājus. Trīs epitaksiālās tehnoloģijas problēmas, sterilizācijas efektivitātes uzlabošana un siltuma izkliedes uzlabošana.

Black_light_UV_LED_Flashlight-e1579591215878

Tās galvenais tehniskais mērķis ir realizēt nanorakstu substrātu sagatavošanu ar vienmērīgu raksta izmēru sadalījumu. Specifiskais raksta izmērs: augšējā (apakšējā) apertūra ir 700-1000 (100-300) nm, dziļums ir 300-650 nm, 1. periods - mikrostruktūra 1,4 μm, vienmērīgums ir mazāks par 3-5%.


Otrais ir izmantot nano mēroga rakstainu substrātu, lai saprastu, ka AlGaN kvantu akas emisijas viļņa garums ir mazāks par 280 nm (emisijas viļņa garums ir 260–280 nm), un iekšējā kvantu efektivitāte ir lielāka par 50%. Turklāt, sagatavojot UV LED mikroshēmas struktūru, elektroluminiscences viļņa garums ir mazāks par 280 nm, kvantu efektivitāte ārpus mikroshēmas ir lielāka par 3%, un izejas gaismas jauda ir lielāka par 10 mW."Un citi jautājumi.


Pateicoties savām spējām iznīcināt jauno kroņa vīrusu un savām priekšrocībām, dziļās ultravioletās gaismas diodes ir piesaistījušas arvien lielāku valdības uzmanību. Iepriekš Fudzjaņas provinces Sjameņas Zinātnes un tehnoloģiju birojs izdeva"Vadlīnijas galveno zinātnes un tehnoloģiju projektu (rūpniecības un informācijas tehnoloģiju) piemērošanai Sjamenā 2021. gadā." Ķīmiskajā rūpniecībā ir viena vienība, kas skaidri izvirza uzmanību uz &; dziļi ultravioleto staru luminiscējošie materiāli un ierīces."


Piemēram, Shanxi province atbalsta arī UV gaismas diožu izstrādi (noklikšķiniet, lai iegūtu sīkāku informāciju)." 14. piecu gadu plāns jaunam aprīkojumam Šansji provincē" tas koncentrēsies uz sasniegumiem viedo noteikšanas iekārtu, piemēram, ultravioleto LED mikroshēmu, dziļo ultravioleto LED mikroshēmu un MiniLED jomā. Tehnoloģija, kas koncentrējas uz pilnas joslas UV LED produktu, LED epitaksijas produktu un UV lietojuma produktu izpēti un izstrādi. Vienlaikus tiks palielinātas investīcijas safīra audzēšanas iekārtu un MOCVD iekārtu pētniecībā un attīstībā.


Mūsdienās šī politika Anhui ir saistīta ar ultravioleto starojumu, kas atkal sniedz labas ziņas nozarei un ir ļoti svarīgas UV LED attīstības veicināšanā!