Pirms dažām dienām Austrijas Optoelectronics Technology (Hangzhou) Co Ltd izlaida 2 collu (Φ50,8 mm) augstas kvalitātes alumīnija nitrīda viena kristāla substrātu un uzsāka mazo partiju masveida ražošanu.
UTI-AlN-050B sērijas 2 collu augstas kvalitātes AlN viena kristāla substrāti un citi AlN viena kristāla substrātu izmēri
Tiek ziņots, ka alumīnija nitrīds (AlN) ir jaunas paaudzes īpaši plati bandgap pusvadītāju augstas klases materiāli ar lielu aizliegtu joslas platumu (līdz 6,2 eV), augstu siltumvadītspēju, augsta sadalījuma lauka intensitāti, augstu termisko stabilitāti un labu dziļu ultravioleto caurredzamību. Lieliskas veiktspējas priekšrocības, piemēram, overrate, bet, ņemot vērā AlN viena kristāla augšanas augstos grūtības un skarbos apstākļus, tā sagatavošana ir daudz sarežģītāka nekā SiC, GaN utt.
Lai gan ierīču izstrādē plaši tiek izmantoti maza izmēra AlN atsevišķi kristāli, ierobežotais plāksnīšu izmērs un izlaide nevar apmierināt liela mēroga ražošanas līniju ražošanas vajadzības saistītās jomās. Tas vienmēr ir bijis galvenais ierobežojums Aln viena kristāla substrātu plašai izmantošanai. Viena no vājajām slienēm.
Šoreiz 2 collu alumīnija nitrīda viena kristāla substrāts nāk kā plānots. Paredzams, ka lieljaudas dziļās ultravioletās gaismas diodes, ultravioletās gaismas diodes, ultravioletā starojuma detektori, ultravioletais brīdinājums un lieljaudas, augstas frekvences, augstas temperatūras elektroniskās ierīces un citi lauki aizsāks lieljaudas mikroshēmas. Labākie substrāta materiāli un risinājumi.
