Guangmai Tehnoloģija ir profesionāla, padarot 1W 3W Yellow 3535 SMD LED mikroshēmu 585nm 590nm 595nm.
Pusvadītāju dzeltenā LED tehnoloģija ir panākusi revolucionāru progresu
Pēc 57 gadu attīstības redzamās gaismas gaismas diodes ir sasniegušas pilnu krāsu, nodrošinot cilvēkiem krāsainus vizuālos svētkus un augstas efektivitātes enerģijas taupīšanas apgaismojuma avotus. Tomēr ilgu laiku krāsainas LED gaismas efektivitātes (gaismas energoefektivitātes) attīstība ir ļoti nelīdzsvarota. Starp tiem dzeltenās LED gaismas efektivitāte ir daudz zemāka nekā citās krāsās. Tā rezultātā dzeltenā gaisma ar augstu gaismas efektivitāti jāiegūst, pārveidojot fosforu viļņu garumu. Šis "elektriski optiskais-optiskais" pārveidošanas tehnoloģijas risinājums pašlaik ir led apgaismojuma galvenā tehnoloģija. Tomēr fosforam ir raksturīgi trūkumi gaismas pārveidošanas procesā, piemēram, lieli siltuma zudumi, liels karstums un gaismas sabrukšana, kā arī lēna reakcija, kas ierobežo gaismas diožu straujo attīstību augstas kvalitātes apgaismojuma un ātrgaitas redzamās gaismas sakaru virzienā.
Tāpēc "dzeltenās gaismas plaisas" risināšana ir kļuvusi par pievilcīgu mērķi šajā jomā. Kāda veida substrātu, materiālu, ierīces struktūru, mikroshēmu struktūru un aprīkojumu var izmantot augstas efektivitātes dzelteno LED ražošanai? Mājās un ārzemēs ilgu laiku nav atbildes.
Divās dzeltenās gaismas materiālu sistēmās, AlGaInP viļņa garumam mainoties no sarkanās gaismas uz dzelteno gaismu, joslas sprauga mainās no tiešas uz netiešu, un efektivitāte strauji samazinās. Tā ir fiziska vājā daļa; lai gan indija gallija nitrīds ir tieša joslas sprauga, kas ir vislielākā Grūtības ir augt augstas kvalitātes, augstu indium saturu indija gallija slāpekļa kvantu labi materiāls, kas ir tehnisks vājais blakus. Dzeltenā LED kvantu akas indija sastāvs ir aptuveni 30%, kas acīmredzami pārsniedz zilā kvantu indija sastāvu apmēram 15%. Indium gallium slāpekļa ar augstu indium saturu augšanai ir daudz grūtību: zema augšanas temperatūra izraisa amonjaka plaisāšanu, mazāk slāpekļa vakanču, lēna atomu migrācija un raupja virsma, izplūdušām un barjeras saskarnēm ar dažādiem biezumiem, nevienmērīgu indija sastāvu un smagu indija segregācijas fāzi Atdalīšana, InGaN / GaN spēcīga polarizācija rada mazāku nesējviļņu funkciju pārklāšanos utt.
Nesen Jiang Fengyi pētniecības grupa Nanchang University publicēja rakstu Photonics Research: Efficient InGaN balstīta Yellow Light-Emitting Diodes, kas demonstrēja revolucionāru progresu dizainā un ražošanas tehnoloģijā dzeltenās gaismas joslas LED materiāli. Pamatojoties uz oriģinālajiem GaN / Si bāzes zilajiem LED materiāliem, ierīces struktūru un mikroshēmu struktūru, viņi izstrādāja jaunas materiālu struktūras, jaunas augšanas iekārtas un jaunus procesus. Tās pārveidoja trīs galvenās neatbilstības (liela termiskā izplešanās koeficienta neatbilstība, lielu joslu spraugas platuma neatbilstība un liela režģa pastāvīga neatbilstība) trīs galvenās priekšrocības.
Pētniecības grupa izgudroja uz režģiem balstītu materiālu augšanas metodi un tehnoloģiju. Uz substrāta tiek izgatavots regulārs režģis, lai aizstātu neregulāras plaisas, kas novērš GaN / Si stresa uzkrāšanās efektu un atrisina materiāla izraisīto plaisu problēmu. Problēma, kas saistīta ar nespēju ražot gaismu izstarojošas mikroshēmas, ir arī priekšrocība, ka aug augstas veiktspējas indija gallija nitrīda materiāli ar augstu indija saturu, jo GaN tiek uzturēts stiepes spriegumā.
Pētnieki ir izgudrojuši silīcija bāzes LED mikroshēmas struktūru ar augstu gaismas ekstrakcijas efektivitāti, pielāgojot pašreizējo virzienu, gaismu izstarojošo pozīciju un gaismu izstarojošo ceļu, kas ne tikai atrisina substrāta gaismas absorbcijas un elektrodu bloķējošās gaismas problēmu, bet tam ir arī vienpusējas gaismas emisijas un augstas staru kūļa kvalitātes priekšrocības. Izstrādātais jaunais integrētais pārejas slānis ne tikai atrisina augsta dislokācijas blīvuma problēmu, bet arī racionāli izmanto dislokācijas, lai izveidotu ierīces struktūru ar lielām V bedrēm, uzlabo caurumu transportēšanas ceļu un uzlabo LED efektivitāti.
Pamatojoties uz trīs galveno neatbilstību pārveidošanu trīs galvenajās priekšrocībām, tās pielāgoja reakcijas gāzes transportēšanas ceļu un nogulsnēšanās mehānismu, izgudroja blīvu koaksiālo uzmava struktūras reakcijas kameru un izstrādāja augstu indija komponentu, kas vairāk veicina indija indija iekļaušanu. Indija gallija nitrīda materiāla augšanas iekārta palielina materiāla augšanas temperatūru, samazina atmiņas efektu un padara kvantu aku un barjeras saskarni stāvu; ko virza pašreizējais blīvums 20A/cm2 un 3 A/cm2, 565nm silīcija bāzes dzeltena LED gaisma Efektivitāte ir palielināta līdz 24,3% un 33,7%, kas atbilst attiecīgi 149 lm/W un 192 lm/W, tādējādi efektīvi mazinot dzelteno plaisu un risinot augstas efektivitātes dzeltenās gaismas trūkuma problēmu gaismas diodēm pasaulē.
Materiāla struktūra ir silīcija substrāts indija gallija nitrīda vairāku kvantu aku struktūra ar trīsdimensiju P-N krustojumu ar lielām V bedrēm, un mikroshēma ir vienpusēja gaismu izstarojoša, plānas plēves struktūra.
Dzeltena un dzintara/oranža krāsa SMD LED apgaismojuma efekts
Elektriskās specifikācijas:
Iepakojuma izmērs:
Lietojumprogrammu
Par Guangmai
Shenzhen Guangmai Technology Co Ltd ir elektronisko tehnoloģiju uzņēmums, kas integrē pētniecību un attīstību, ražošanu, pārdošanu un servisu. Kopš dibināšanas uzņēmums ir ievērojis biznesa filozofiju "integritāte, fokuss un inovācijas", kas specializējas UV LED, dziļi ultravioletajā LED, 265-405nm: 2835 violetā, 3535 violetā 1414 violetā UV modulī, 6868 violetā, 7070 violetā, 5050 violetā , 3838 violetā gaismā 1212 purpura gaismā un COB integrētā LED purpura gaismā, imitējot lūmena lieljaudas LED purpura gaismu, īpašu UV gaismas avotu izpēte un izstrāde un ražošana. Pēc neatslābstošām pūlēm, UV LED ultravioletās gaismas konservēšana, pulsējoša ultravioletās gaismas konservēšana, UV LED tintes printeris, biomedicīna, policijas atklāšanas un analīzes gaismas avots, augu augšanas lampa, zinātniskie pētījumi daudzjoslu gaismas avots, ultravioletā sterilizācija, LED fotonu ārstēšana, ultravioletā ūdens apstrāde , Dārzeņu apstrāde, gaisa apstrāde utt. Mūsu mērķis ir: izdzīvot pēc kvalitātes, meklēt godprātīgu sadarbību.
Datu lapa:
Lai iegūtu sīkāku informāciju, lūdzu, nekautrējieties sazināties tieši ar Guangmai Tech.
Jūs varat lejupielādēt 1W 3W Yellow 3535 SMD LED mikroshēmas 585nm 590nm 595nm datu lapu no šīs lapas galvas.
Populāri tagi: 1w 3w dzeltens 3535 smd led mikroshēma 585nm 590nm 595nm, Ķīna, ražotāji, piegādātāji, rūpnīca, cena, lēta, kotācija, datu lapa, specifikācijas, specifikācija
